вторник, 12 февраля 2013 г.

диффузионное введение примеси

к-рая связана с проводимостью а полупроводника соотношением

эВ), так что их концентрация определяет концентрацию осн. носителей заряда,

полностью ионизованы (энергия ионизации

валентной зоны. Атомы таких примесей при комнатной темп-ре (300 К) практически

акцепторные примеси, образующие уровни вблизи потолка

Для получения полупроводников с дырочной проводимостью (р-типа) вводятся

запрещённой зоне вблизи дна зоны проводимости

обычно используют донорные примеси, образующие "мелкие" энергетич. уровни в

(n-типа) с изменяющейся в широких пределах концентрацией электронов проводимости

вводимых примесей. Для получения полупроводников с электронной проводимостью

Л. п. Электрич. свойства легированных полупроводников зависят от природы и концентрации

дефектов с целью изменения их электрич. свойств. Наиб. распространено примесное

- дозированное введение в примесей или структурных

ПОЛУПРОВОДНИКОВ

полупроводников

Если вдруг шум, травма или разряженная атмосфера помешают будущим астронавтам переговариваться друг с другом во время космического полета, на помощь придет разработанный в NASA метод «чтения мыслей на расстоянии».

Новости науки и техники

Политическая сатира - . www.kniga.ru

Составное изображение: снимок кометы Borelly и ее термограмма. светит от нижней части снимка.

полупроводников - Физическая энциклопедия

Комментариев нет:

Отправить комментарий